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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TF202THC-5-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF202THC-5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF202THC-5-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TF202THC-5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TF202THC-5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF202THC-5-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款JFET(结型场效应晶体管),属于N沟道JFET。该器件常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。 其主要应用场景包括: 1. 低噪声前置放大器:由于JFET具有较低的噪声系数和高输入阻抗,TF202THC-5-TL-H广泛应用于音频和射频(RF)信号的前置放大电路中,尤其适合高保真音频设备和通信系统。 2. 模拟开关和电压控制电路:JFET可作为电压控制的电阻使用,适用于模拟信号处理中的开关或衰减控制,如自动增益控制(AGC)电路。 3. 传感器接口电路:在需要高输入阻抗的传感器信号采集系统中,如温度、压力或光传感器,该器件有助于减小对传感器信号源的影响。 4. 射频(RF)前端电路:在低频至中高频段的射频接收电路中,用于信号放大和混频,适用于无线通信设备、收音机等。 5. 便携式电子设备:该器件采用小型封装(如SOT-23),适合用于空间受限的便携设备,如手持式仪器、音频采集设备等。 总结:TF202THC-5-TL-H适用于对噪声敏感、要求高输入阻抗和良好线性度的模拟电路设计,常见于音频、射频和传感器信号处理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW VTFPJFET N-Channel JFET Elect Condenser Mics |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 uA |
| Id-连续漏极电流 | 350 uA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF202THC-5-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TF202THC-5-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 140 uA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 200mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 210µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-VTFP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | VTFP-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏极连续电流 | 350 uA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 系列 | TF202THC |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.2 V to - 1 V |