ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > PMBFJ176,215
Datasheet下载- 型号： PMBFJ176,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PMBFJ176,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ176,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ176,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ176,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET P-Channel 30V 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ176,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBFJ176,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBFJ176,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于 N 沟道 JFET，广泛应用于模拟电路中。由于其具备低噪声、高输入阻抗和良好的开关特性，该器件适用于多种电子场景。 主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：因其低噪声特性，常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音响系统中，提升音质表现。 2. 信号开关与调制电路：在模拟开关、多路复用器和自动增益控制（AGC）电路中，利用其电压控制特性实现信号通断或调节。 3. 传感器接口电路：高输入阻抗使其适合连接高阻抗传感器（如压电传感器），减少信号衰减，提高检测精度。 4. 振荡器与滤波器：在低频RC振荡器或有源滤波电路中作为有源元件，提供稳定的放大功能。 5. 便携式设备：由于采用SOT-23小封装且功耗较低，适用于空间受限的便携式电子产品，如手持仪器、可穿戴设备等。 PMBFJ176,215 性能稳定、可靠性高，是模拟信号处理中的理想选择，特别适合对噪声敏感和需要高输入阻抗的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 30V 300MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMBFJ176,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8pF @ 10V（VGS） |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2082-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 250 欧姆 |
