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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TIS75由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIS75价格参考。Fairchild SemiconductorTIS75封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TIS75参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TIS75 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TIS75是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,TIS75常用于音频放大器、测量仪器和传感器信号放大器的前置级,以提高信号采集的精度和稳定性。 2. 模拟开关和多路复用器:TIS75可用于低失真模拟开关电路,适用于音频信号切换、测试设备和自动控制系统中的信号路由。 3. 射频(RF)与高频电路:该器件适合用于射频前端、低噪声放大器和混频器等高频模拟电路中,尤其在需要低功耗和良好高频特性的场合。 4. 低噪声仪表与医疗设备:在需要高精度信号处理的医疗设备、测试仪器和科学仪器中,TIS75可用于构建低噪声、高稳定性的模拟前端。 5. 电压控制电路:由于其栅极电压可控制漏极电流,TIS75也适用于电压控制衰减器、增益调节电路和自动增益控制(AGC)系统。 总结而言,TIS75凭借其低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性,广泛应用于对信号完整性要求较高的模拟电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TIS75 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 800mV @ 4nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 8mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 18pF @ 10V(VGS) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 60 欧姆 |