Datasheet下载- 型号： SST5484-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SST5484-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SST5484-E3价格参考。VishaySST5484-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SST5484-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SST5484-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SST5484-E3是一款N沟道JFET（结型场效应晶体管），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 前置放大器电路：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，SST5484-E3常用于音频和射频信号的前置放大，尤其是在麦克风、乐器（如电吉他）前置放大器中。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可用于低失真模拟开关电路，适用于需要高频信号切换的场合，如测试设备和信号路由系统。 3. 电压控制电阻：JFET可作为电压控制的可变电阻使用，SST5484-E3适用于需要动态调节信号增益或衰减的电路，如自动增益控制（AGC）电路。 4. 射频（RF）应用：在低功率射频电路中，如无线接收器前端，SST5484-E3可用于信号调节和处理，因其具备良好的高频响应特性。 5. 传感器接口电路：在需要高输入阻抗以避免影响传感器输出的场合，如生物传感器、压力传感器等，该JFET可用作缓冲器或放大器。 总结来说，SST5484-E3适用于需要低噪声、高输入阻抗和良好线性度的模拟信号处理电路，广泛应用于音频设备、测试仪器、通信系统及传感器接口等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET P-CH 35V 1MA SOT-23JFET 35V 1mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix SST5484-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SST5484-E3SST5484-E3 |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 300mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 15V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Can |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
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