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Datasheet下载- 型号： PD57018TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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PD57018TR-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57018TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57018TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD57018TR-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF (Formed Lead)。您可以下载PD57018TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57018TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57018TR-E是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，广泛应用于高频、高效率的无线通信系统中。该器件适用于工作频率在VHF/UHF至L波段范围内的射频功率放大器设计。 典型应用场景包括：民用和工业用无线通信设备，如陆地移动无线电（LMR）、对讲机、公共安全通信系统（如警察、消防、急救等专用网络）以及业余无线电设备。此外，PD57018TR-E也适用于需要高增益、良好线性和高效能表现的射频放大模块，在基站、中继站和小型发射装置中发挥重要作用。 该器件采用先进的制程技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽温度范围内长期稳定运行。其封装形式（如SOT-223或类似）便于散热和集成，适合紧凑型高密度电路板布局。 总之，PD57018TR-E主要面向中低功率射频放大应用，特别适用于强调效率、线性度和可靠性的专业无线通信系统，是现代模拟射频前端设计中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD57018TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 其它名称 | 497-6477-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF131340?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 18W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 2.5A |
