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- 型号： BLS6G2731S-130,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2731S-130,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2731S-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2731S-130,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G2731S-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2731S-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLS6G2731S-130,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具备优异的增益、效率和热稳定性，适用于工作在700 MHz至1 GHz频段的系统。 典型应用场景包括： 1. 广播发射系统：广泛用于UHF电视广播发射机中的主功率放大级，支持数字电视标准如DVB-T、ATSC等，提供稳定高效的射频输出。 2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：应用于感应加热、射频能量和等离子体生成等工业系统，满足高可靠性和连续运行需求。 3. 公共安全与通信基础设施：用于陆地移动无线电（LMR）基站，支持TETRA、P25等专业通信标准，确保清晰可靠的无线覆盖。 4. 蜂窝通信增强设备：可集成于信号中继器或分布式天线系统（DAS），提升特定区域的网络覆盖质量。 BLS6G2731S-130,112采用紧凑的陶瓷封装，具有良好的散热性能和抗环境干扰能力，适合严苛工业环境。其高功率附加效率（PAE）有助于降低系统功耗和冷却成本，是现代高效射频功率设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT922-1 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLS6G2731S-130,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934064572112 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | SOT922-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| 额定电流 | 33A |
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