Datasheet下载- 型号： MRF6S18060NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18060NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18060NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18060NR1 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的高性能射频LDMOS MOSFET，专为1.8–2.0 GHz频段设计，典型应用包括蜂窝基站的功率放大器（PA）模块。该器件采用高可靠性陶瓷封装（TO-270WB-4），具备60 W连续波（CW）输出功率能力、高增益（典型17 dB）和优异的功率附加效率（PAE约65%），支持宽带调制信号（如WCDMA、LTE、TD-LTE）。 主要应用场景包括： - 4G/LTE宏基站及微基站的末级射频功放； - 公共安全通信系统（如TETRA、P25）的中高功率发射链路； - 无线基础设施中的多载波预失真（DPD）兼容放大器设计； - 小型化分布式天线系统（DAS）和有源天线单元（AAU）的射频前端。 其内置ESD保护、良好的热稳定性和宽电源电压范围（28 V标称，支持32 V瞬态）使其适用于严苛的户外基站环境。需配合匹配网络、散热器及闭环温控电路使用，以确保长期可靠性与线性度。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 26V 60W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S18060NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 其它名称 | MRF6S18060NR1DKR |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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