【未分类_BF510,215】封装/厂家_BF510,215中文资料_价格

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型号： BF510,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF510,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF510,215价格参考。NXP SemiconductorsBF510,215封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF510,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF510,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 BF510,215 是一款射频场效应晶体管（RF FET），属于MOSFET类别，常用于高频信号放大和射频功率应用。该器件广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，适用于频率范围在100 MHz至1 GHz之间的射频系统。

典型应用场景包括：  
1. 射频功率放大器：BF510,215具备良好的增益和输出功率特性，适合用于VHF/UHF频段的线性放大器，如无线通信基站、对讲机和小型发射设备。  
2. 工业加热与感应加热设备：该器件可工作在高效率的推挽或单端拓扑结构中，用于驱动射频能量进行金属加热、焊接或熔炼等工业过程。  
3. 医疗射频设备：在某些射频消融或理疗仪器中，作为射频能量输出级使用，提供稳定可控的高频输出。  
4. 无线基础设施：适用于低功率广播发射器、远程无线监控系统和物联网网关中的射频前端模块。  

BF510,215采用可靠的封装技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在中等功率条件下长时间运行。其设计优化了跨导和输出电容，有助于提升整体射频效率并降低失真。由于其出色的性能和稳定性，该器件在需要高效、紧凑射频解决方案的应用中备受青睐。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	30 mA
Id-连续漏极电流	30 mA
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF510,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BF510,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	250 mW
Pd-功率耗散	250 mW
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs=0时的漏-源电流	3 mA
产品	RF JFET
产品种类	射频JFET晶体管
供应商器件封装	SOT-23 (TO-236AB)
其它名称	568-6161-6
功率-输出	-
功率耗散	250 mW
包装	Digi-Reel®
商标	NXP Semiconductors
噪声系数	1.5dB
增益	-
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	N 通道 JFET
最大工作温度	+ 150 C
最大漏极/栅极电压	20 V
标准包装	1
正向跨导-最小值	0.0001 S
漏极连续电流	30 mA
漏源电压VDS	20 V
电压-测试	10V
电压-额定	20V
电流-测试	5mA
类型	Silicon
配置	Single
闸/源截止电压	0.8 V
零件号别名	BF510 T/R
频率	100MHz
额定电流	30mA