Datasheet下载- 型号： BLF8G22LS-270J
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G22LS-270J由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G22LS-270J价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G22LS-270J封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G22LS-270J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G22LS-270J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为BLF8G22LS-270J的器件属于射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具备高效率、高增益和良好的热稳定性，适用于工作频率在800 MHz至2.7 GHz范围的系统。 BLF8G22LS-270J广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播系统、工业加热设备和医疗射频设备中，作为功率放大器的核心元件。其高输出功率能力（可达数百瓦）使其特别适合用于4G/5G基站、数字电视广播（DTVB）和专业移动无线电（PMR）等场景。 此外，该器件也可用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大。其封装设计支持高热导率和良好的阻抗匹配，有助于在高功率条件下保持稳定运行。由于其频率覆盖范围广、输出功率高，BLF8G22LS-270J在多种射频功率放大系统中具有较高的灵活性和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 270W LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G22LS-270J |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934067392118 |
| 功率-输出 | 80W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.7dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2.4A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 4.2µA |
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