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型号： BLF7G10LS-250,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G10LS-250,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G10LS-250,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G10LS-250,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G10LS-250,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G10LS-250,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF7G10LS-250,112 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类别，且专为射频（RF）应用设计。以下是该器件的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - BLF7G10LS-250,112 是一款高性能的 L 波段射频功率晶体管，适用于射频功率放大器的设计。其高增益和高效率特性使其成为广播、通信和工业领域中射频功率放大的理想选择。
   - 典型应用包括无线电发射机、雷达系统以及卫星通信设备。

 2. 广播电视
   - 在电视和广播领域，该器件可用于 TV 和 FM 发射机的功率放大阶段。它能够提供稳定的输出功率，确保信号覆盖范围广且质量高。
   - 特别适合需要高可靠性和高效能的地面广播系统。

 3. 航空与国防
   - 由于其出色的线性度和稳定性，BLF7G10LS-250,112 可用于航空电子设备中的射频模块，例如导航系统、气象雷达和空中交通管制雷达。
   - 此外，在军事通信系统中，该晶体管可以支持高数据速率传输和复杂的调制方案。

 4. 工业加热与等离子体生成
   - 在工业领域，这款 MOSFET 能够驱动高频电源，用于感应加热、焊接或材料处理等过程。
   - 它还可以应用于等离子体生成装置，如半导体制造中的蚀刻工艺。

 5. 无线能量传输
   - 随着无线充电技术的发展，BLF7G10LS-250,112 可用于开发高效的无线能量传输系统，尤其是在需要长距离或大功率传输的应用中。

 6. 测试与测量设备
   - 在实验室环境中，该晶体管可用于构建高性能的射频信号发生器或分析仪，以满足精确测量的需求。

 技术特点支持的应用：
   - 频率范围：工作在 L 波段（约 1-2 GHz），适合多种射频应用。
   - 高功率输出：可提供高达数百瓦的射频输出功率，具体取决于电路设计和散热条件。
   - 高效率：优化的 MOSFET 结构提高了能源转换效率，降低了热损耗。
   - 耐用性强：能够在恶劣环境下保持稳定运行，适合户外或极端条件下的使用。

总之，BLF7G10LS-250,112 凭借其卓越的性能参数，广泛应用于射频通信、广播、工业及国防等多个领域，为现代电子系统提供了强大的射频功率解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS POWER SOT502
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G10LS-250,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934065607112 BLF7G10LS-250112
功率-输出	60W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	19.5dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	1.8A
频率	920MHz ~ 960MHz
额定电流	-