Datasheet下载- 型号： MRF7S27130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S27130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S27130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S27130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S27130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S27130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S27130HR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）器件，主要用于射频功率放大。该器件工作频率范围覆盖DC至2700 MHz，具备高输出功率、高效率和良好的热稳定性，适用于要求严苛的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：广泛用于2G、3G、4G LTE宏基站和微基站的功率放大器模块中，尤其适合工作在806–960 MHz和2110–2200 MHz频段的移动通信系统。 2. 多载波基站系统：支持多载波信号放大，具备良好的线性度和互调性能，可满足高密度信号传输需求。 3. 工业与公共安全通信设备：如集群通信系统、应急通信网络等，因其高可靠性和耐用性而被采用。 4. 宽带射频放大应用：适用于需要宽频带放大的场合，如测试仪器和广播系统中的射频前端。 MRF7S27130HR3采用先进的封装技术（如陶瓷封装），具有优异的散热性能和长期可靠性，适合在高温、高功率环境下持续运行。其高增益和高效能特性有助于降低系统功耗，提升整体能效，是现代无线基础设施中关键的射频功率放大元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 23W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S27130HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 2.5GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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