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- 型号： MMBFJ212
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ212由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ212价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ212封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ212参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ212 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ212是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道结型场效应晶体管（JFET），属于射频MOSFET类别。该器件主要用于小信号射频（RF）放大和开关应用，适用于需要低噪声和高输入阻抗的场合。 典型应用场景包括： 1. 射频放大器：在通信设备中作为前置放大器或高频信号放大单元，用于增强微弱射频信号，常见于无线接收机、对讲机和射频识别（RFID）系统。 2. 模拟开关：利用其良好的开关特性，在高频信号路径中实现信号通断控制，适用于测试仪器和多路复用电路。 3. 振荡电路与调制解调电路：在射频振荡器或调制电路中作为有源元件，提供稳定的信号生成与处理能力。 4. 低噪声前端设计：因其较低的噪声系数，适合用于高灵敏度接收系统的输入级，如广播接收设备或传感器信号调理电路。 MMBFJ212采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小，便于集成在高密度PCB设计中，广泛应用于便携式通信设备、消费类电子产品和工业射频模块。其工作稳定、可靠性高，适合在宽温度范围内运行，满足工业级应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBFJ212 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 40mA |
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