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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5486由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5486价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF5486封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBF5486参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF5486 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF5486是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道JFET(结型场效应晶体管),属于射频MOSFET/FET类别。该器件主要用于小信号射频(RF)放大和高频模拟应用场合。 典型应用场景包括: 1. 射频放大器:适用于甚高频(VHF)至超高频(UHF)范围内的低噪声放大器(LNA),常见于无线通信接收前端,如对讲机、无线电接收设备等。 2. 模拟开关与调制电路:凭借其良好的线性特性和低失真表现,可用于射频信号的切换与调制解调电路中。 3. 传感器信号调理:在高阻抗信号源(如某些传感器)的前置放大电路中,利用JFET输入阻抗高的特点,实现微弱信号的放大。 4. 消费类电子与工业设备:应用于电视调谐器、FM收音模块、数据通信设备等需要稳定高频性能的小功率电路中。 MMBF5486采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式设备;其低功耗、良好频率响应和稳定性,使其成为高频模拟设计中的常用器件。虽然不适用于大功率射频输出级,但在小信号处理领域具有较高可靠性与性价比。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA SOT23射频JFET晶体管 NCh RF Transistor |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 20 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Fairchild Semiconductor MMBF5486- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF5486 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 20 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF5486DKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 噪声系数 | 4dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 25 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.004 S to 0.008 S |
| 电压-测试 | 15V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 系列 | MMBF5486 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 6 V |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 20mA |