ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MAGX-001214-250L00
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MAGX-001214-250L00
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MAGX-001214-250L00产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAGX-001214-250L00由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAGX-001214-250L00价格参考。M/A-COMMAGX-001214-250L00封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet HEMT 50V 250mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17.6dB 250W 。您可以下载MAGX-001214-250L00参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAGX-001214-250L00 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM）的MAGX-001214-250L00是一款基于氮化镓（GaN）技术的射频MOSFET晶体管，主要应用于高频、高功率射频系统中。其典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：适用于4G LTE、5G等移动通信基础设施，作为功率放大器，提升信号发射效率和覆盖范围。 2. 雷达系统：用于军用或民用雷达中的射频功率放大，具备高可靠性和高效率，适合脉冲工作模式。 3. 广播与通信设备：如广播发射机、卫星通信地面站等，提供高线性度和稳定输出功率。 4. 测试与测量仪器：作为射频信号放大模块，用于实验室或生产环境中的射频测试系统。 5. 工业与医疗射频设备：如射频加热、医疗成像设备中的功率放大单元。 该器件具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在2.3GHz至2.7GHz频段工作，广泛用于需要高功率密度和高频率性能的射频应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | M/A-Com Technology Solutions |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MAGX-001214-250L00 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1087 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.6dB |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 标准包装 | 5 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 额定电流 | 9A |
