Datasheet下载- 型号： MRF6V2150NBR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
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MRF6V2150NBR5是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS器件，主要应用于150 MHz至250 MHz频段。该器件具有高输出功率、高效率和良好的热稳定性，常用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大。 典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于AM、FM或数字音频广播（如DAB）发射系统中的射频功率放大级，提供稳定的大功率输出。 2. 工业加热与等离子发生设备：在感应加热、介质加热及等离子体生成系统中作为射频能量源，实现高效能量转换。 3. 无线电通信基础设施：适用于陆地移动通信基站（如公共安全通信、应急通信系统），支持高可靠性语音与数据传输。 4. 雷达与航空电子系统：在低频段雷达或导航系统中用作脉冲或连续波放大器，满足严苛环境下的性能需求。 MRF6V2150NBR5采用坚固的陶瓷封装（SOT-789A），具备优异的散热性能和抗恶劣环境能力，适合长时间高负荷运行。其设计简化了匹配网络，有助于降低系统复杂度和开发成本。广泛应用于需要高可靠性和持续高功率输出的专业领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V TO272-4射频MOSFET晶体管 VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6V2150NBR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF6V2150NBR5 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 110 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 110 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.62 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.62 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 其它名称 | MRF6V2150NBR5CT |
| 功率-输出 | 150W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 2 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 封装/箱体 | TO-272 WB EP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 110 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 系列 | MRF6V2150N |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 频率 | 220MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
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