Datasheet下载- 型号： MRF8S21140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF8S21140HSR3 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，属于 NXP 的 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）产品系列，专为高功率射频放大应用设计。该器件主要用于工作频率在 806 MHz 至 960 MHz 范围内的无线通信系统，特别适用于蜂窝基站基础设施。 其主要应用场景包括： 1. 宏蜂窝基站：MRF8S21140HSR3 常用于 4G LTE 和 5G 无线网络的宏基站功率放大器中，支持高效率、高线性度的信号放大，满足现代移动通信对高数据吞吐量和广覆盖的需求。 2. 多载波功率放大：该器件具备出色的多载波 GSM、CDMA 和 W-CDMA 线性放大能力，适用于需要同时处理多个通信信道的基站系统。 3. 高可靠性通信系统：由于其坚固的 LDMOS 设计和良好的热稳定性，该器件适合部署在要求长时间稳定运行的户外或恶劣环境中的通信设备。 4. 增强型 Doherty 架构：MRF8S21140HSR3 常用于 Doherty 放大器拓扑结构中，以提升整体能效，降低运营能耗，符合绿色通信发展趋势。 综上，MRF8S21140HSR3 广泛应用于现代无线基础设施中的高功率射频放大环节，是实现高效、可靠蜂窝通信的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21140HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 970mA |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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