Datasheet下载- 型号： BLF7G22LS-250P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22LS-250P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22LS-250P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22LS-250P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G22LS-250P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G22LS-250P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.生产的BLF7G22LS-250P,112是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频射频功率放大器领域，以下是其典型应用场景： 1. 无线通信系统 - 适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。 - 支持高频信号的高效放大，满足现代通信对高带宽和高频率的需求。 2. 广播设备 - 用于FM/AM广播发射机的功率放大级。 - 提供稳定的输出功率，确保广播信号覆盖范围广且质量高。 3. 雷达系统 - 在军事或民用雷达中，作为功率放大器的核心组件。 - 能够处理高功率射频信号，支持远距离目标探测。 4. 工业、科学和医疗（ISM）应用 - 用于射频加热、等离子体生成和医疗设备中的功率放大。 - 高效的能量转换能力使其在这些领域表现出色。 5. 业余无线电 - 为业余无线电爱好者提供高功率射频放大功能。 - 适合自制电台或改装设备，提升信号传输距离。 技术特点： - 高功率输出：支持高达250W的射频输出功率。 - 宽频带操作：工作频率范围广，适合多种射频应用。 - 高效率：优化设计以降低功耗并提高能量转换效率。 - 耐用性和可靠性：采用先进的制造工艺，确保在恶劣环境下的稳定运行。 综上所述，BLF7G22LS-250P,112广泛应用于需要高功率射频放大的场景，是射频功率放大器设计中的重要元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT539B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF7G22LS-250P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064691112 |
| 功率-输出 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2.16A |
| 频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
| 额定电流 | - |
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