Datasheet下载- 型号： BLF2425M6L180P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M6L180P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M6L180P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M6L180P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF2425M6L180P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF2425M6L180P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF2425M6L180P,112是一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率和高功率输出的射频系统中。该器件特别适用于工业、科学和医疗（ISM）频段中的射频能量应用，如感应加热、等离子体生成和介质加热等场景。其工作频率范围覆盖2400MHz至2500MHz，符合全球主流ISM频段标准，适合在2.45GHz高频环境下稳定运行。 BLF2425M6L180P,112采用先进的LDMOS技术，具备高增益、高效率和良好的热稳定性，能够在高电压（典型漏极电压为50V）条件下提供高达180W的连续波（CW）输出功率，非常适合大功率射频电源设计。此外，该器件封装紧凑，具有优异的散热性能，便于集成到小型化射频功放模块中。 该MOSFET也常用于射频激励器、射频加热设备以及部分无线通信基础设施中，尤其适合对能效和可靠性要求较高的工业加热与干燥系统。凭借Ampleon在射频功率领域的技术优势，BLF2425M6L180P,112在高温和高负载环境下仍能保持稳定性能，是工业级射频功率应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWR LDMOS SOT539A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF2425M6L180P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 934066104112 |
| 功率-输出 | 180W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.3dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| 额定电流 | - |
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