Datasheet下载- 型号： AFT20P060-4NR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT20P060-4NR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT20P060-4NR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT20P060-4NR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT20P060-4NR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT20P060-4NR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT20P060-4NR3 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频功率放大应用。该器件适用于以下几种典型应用场景： 1. 无线通信基站：该MOSFET适用于蜂窝通信系统中的射频功率放大器模块，特别是在CDMA、WCDMA、LTE等制式的基站中，用于增强信号发射功率。 2. 广播设备：在调频广播（FM）、数字音频广播（DAB）或电视广播系统中，作为高效率的射频功率放大器使用。 3. 工业与商业射频设备：如射频测试仪器、射频加热装置、医疗射频设备等需要稳定高频功率输出的场合。 4. 军事与航空航天通信系统：因其具有良好的高频特性和可靠性，也适用于对性能要求较高的军用通信和雷达系统。 5. 点对点微波通信：用于远距离高速无线通信链路中的功率放大部分，支持高频率、高带宽的数据传输。 该器件采用SOT-1227封装，具备良好的热稳定性和高功率密度，适合在需要高效能、小型化设计的射频系统中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN RF 2GHZ 6.3W OM780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT20P060-4NR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | OM780-4 |
| 功率-输出 | 6.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.9dB |
| 封装/外壳 | OM780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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