Datasheet下载- 型号： MRF8S21200HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21200HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21200HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21200HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21200HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21200HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF8S21200HR6、品牌为NXP USA Inc.的射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件特别适用于2G、3G、4G等无线通信基站中的射频功率放大器设计，支持高效率、高线性度的信号放大需求。其工作频率范围宽，输出功率高，适合用于宏基站、微基站及分布式天线系统中。此外，该MOSFET也可用于工业和广播设备中的射频能量传输系统，如射频加热和等离子体生成等场景。其高可靠性和稳定性使其在恶劣工作环境下依然能保持优异性能，广泛受到通信设备制造商和系统集成商的青睐。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8S21200HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.1dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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