Datasheet下载- 型号： PTFA191001EV4XWSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTFA191001EV4XWSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTFA191001EV4XWSA1价格参考。InfineonPTFA191001EV4XWSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTFA191001EV4XWSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTFA191001EV4XWSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的射频MOSFET器件PTFA191001EV4XWSA1是一款高性能的氮化镓（GaN）基射频功率晶体管，主要应用于高频、高效率的无线通信系统。该器件工作频率覆盖L波段至S波段，典型应用包括雷达系统、航空通信、卫星通信以及地面基站等高端射频场景。 在雷达领域，PTFA191001EV4XWSA1凭借其高输出功率、高增益和优异的线性度，广泛用于相控阵雷达和多普勒雷达，支持长距离探测与高精度目标识别。在航空与航天通信中，该器件可满足严苛的环境要求，提供稳定可靠的射频放大能力，适用于机载和地面站之间的数据链通信。 此外，该产品也适用于5G基础设施中的毫米波回传系统或专用宽带通信设备，尤其适合需要高能效和小尺寸设计的场景。其采用先进的封装技术，具备良好的散热性能和可靠性，能够在高温和高功率条件下长时间稳定运行。 总之，PTFA191001EV4XWSA1主要面向对性能、可靠性和集成度要求较高的军用、航空航天及高端民用通信系统，是现代高性能射频功率放大器的关键组件之一。
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