Datasheet下载- 型号： BLF878,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF878,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF878,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF878,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF878,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF878,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为BLF878,112的器件属于射频场效应晶体管（RF FET），具体为射频MOSFET。该器件主要应用于高功率射频放大器场合，适用于需要高效率和高线性度的无线通信基础设施。 BLF878,112是一款LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管，具有高功率密度、良好的热稳定性和优异的射频性能，常用于4G/5G基站、广播发射机、工业加热和医疗设备等射频功率放大系统中。该器件支持在900MHz至1000MHz频率范围内工作，适用于多载波放大和宽带通信系统。 由于其高可靠性和耐用性，BLF878,112也被广泛用于要求严苛的移动通信基站设备中，作为主功率放大器的核心元件。此外，该器件还适合用于广播设备中的射频发射模块，如调频（FM）或数字音频广播（DAB）发射机中，以实现高效、稳定的信号放大。 总结来说，BLF878,112主要应用于5G通信基站、广播发射设备、工业射频系统等领域，是一款高性能、高稳定性的射频功率MOSFET器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF878,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-4738 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-979A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 40V |
| 电压-额定 | 89V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 1.4µA |
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