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  • 型号: ATF-54143-BLKG
  • 制造商: Avago Technologies
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ATF-54143-BLKG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-54143-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-54143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-54143-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet pHEMT FET 3V 60mA 2GHz 16.6dB 20.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-54143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-54143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ATF-54143-BLKG是Broadcom Limited推出的一款高性能增强型伪形貌HEMT(Pseudomorphic HEMT)射频场效应晶体管(FET),属于MOSFET - 射频类别。该器件专为低电压、低噪声放大应用设计,广泛应用于高频无线通信系统中。

其主要应用场景包括:无线局域网(WLAN)、Wi-Fi 6/6E和5G小基站中的低噪声放大器(LNA),工作频率覆盖DC至6 GHz,特别适合在2.4 GHz和5 GHz频段下实现高增益与低噪声系数的平衡。此外,该器件也适用于超宽带(UWB)、物联网(IoT)模块、毫米波回传链路前端以及便携式无线设备中的射频接收前端电路。

ATF-54143-BLKG具有极低的噪声系数(典型值0.45 dB @ 2.4 GHz)、高增益(约17 dB @ 2.4 GHz)和出色的线性度,能够在低至2.7 V的电压下稳定工作,支持电池供电设备的节能需求。其采用小型化表面贴装封装(SOT-323),便于高密度PCB布局,适合空间受限的应用场景。

综上,ATF-54143-BLKG广泛用于高性能、低功耗的射频接收系统,尤其适用于对噪声敏感、要求高灵敏度的无线通信设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

120 mA

Id-连续漏极电流

120 mA

品牌

Avago Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-54143-BLKG-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-0488EN

P1dB

20.4 dBm

产品型号

ATF-54143-BLKG

PCN组件/产地

http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B

Pd-PowerDissipation

725 mW

Pd-功率耗散

725 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品目录页面

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产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-343

其它名称

516-1868
ATF-54143-BLKG-ND
ATF54143BLKG

功率-输出

20.4dBm

功率耗散

725 mW

包装

散装

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.5 dB

增益

16.6 dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

100

技术

GaAs

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

EpHEMT

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

100

正向跨导-最小值

410 mmho

漏极连续电流

120 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

3V

电压-额定

5V

电流-测试

60mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

2 GHz

额定电流

120mA

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