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ATF-54143-BLKG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-54143-BLKG由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-54143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-54143-BLKG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet pHEMT FET 3V 60mA 2GHz 16.6dB 20.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-54143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-54143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-54143-BLKG是Broadcom Limited推出的一款高性能增强型伪形貌HEMT(Pseudomorphic HEMT)射频场效应晶体管(FET),属于MOSFET - 射频类别。该器件专为低电压、低噪声放大应用设计,广泛应用于高频无线通信系统中。 其主要应用场景包括:无线局域网(WLAN)、Wi-Fi 6/6E和5G小基站中的低噪声放大器(LNA),工作频率覆盖DC至6 GHz,特别适合在2.4 GHz和5 GHz频段下实现高增益与低噪声系数的平衡。此外,该器件也适用于超宽带(UWB)、物联网(IoT)模块、毫米波回传链路前端以及便携式无线设备中的射频接收前端电路。 ATF-54143-BLKG具有极低的噪声系数(典型值0.45 dB @ 2.4 GHz)、高增益(约17 dB @ 2.4 GHz)和出色的线性度,能够在低至2.7 V的电压下稳定工作,支持电池供电设备的节能需求。其采用小型化表面贴装封装(SOT-323),便于高密度PCB布局,适合空间受限的应用场景。 综上,ATF-54143-BLKG广泛用于高性能、低功耗的射频接收系统,尤其适用于对噪声敏感、要求高灵敏度的无线通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-54143-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0488EN |
| P1dB | 20.4 dBm |
| 产品型号 | ATF-54143-BLKG |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 725 mW |
| Pd-功率耗散 | 725 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-1868 |
| 功率-输出 | 20.4dBm |
| 功率耗散 | 725 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5 dB |
| 增益 | 16.6 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | EpHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 410 mmho |
| 漏极连续电流 | 120 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 60mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 120mA |