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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S7120NR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S7120NR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S7120NR3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF8S7120NR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF8S7120NR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 MRF8S7120NR3 是一款射频功率晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET 类别。该型号主要应用于高频射频功率放大器领域,具有高效率、高增益和宽带宽的特点。以下是其典型应用场景: 1. 无线通信基站: MRF8S7120NR3 适用于蜂窝通信基站中的射频功率放大器,支持多种无线通信标准(如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE)。它能够提供稳定的输出功率和高效的能量转换,满足基站对射频信号放大的需求。 2. 无线电广播: 在 AM/FM 广播系统中,这款晶体管可用于驱动发射机的射频功率放大器,确保广播信号的覆盖范围广且质量稳定。 3. 雷达系统: 该晶体管适用于军事或民用雷达设备,为脉冲或连续波雷达提供高功率射频信号放大功能,提升探测距离和精度。 4. 业余无线电(HAM Radio): HAM 无线电爱好者可以使用此晶体管构建高性能的射频功率放大器,以增强信号传输距离和可靠性。 5. 工业、科学与医疗(ISM)应用: 在 ISM 频段内,MRF8S7120NR3 可用于各种设备,例如无线能量传输、等离子体生成或医疗成像设备中的射频功率模块。 6. 测试与测量设备: 射频测试仪器(如信号发生器和频谱分析仪)可能需要高功率放大器来扩展动态范围,MRF8S7120NR3 能够胜任这一任务。 总结来说,MRF8S7120NR3 凭借其优异的射频性能,广泛应用于需要高功率、高效能射频信号放大的场景,特别是在通信、广播、雷达和测试设备等领域发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | FET RF LDMOS 768MHZ 28V |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF8S7120NR3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | OM-780-2 |
功率-输出 | 125W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 19.4db |
封装/外壳 | OM-780-2 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 250 |
电压-测试 | - |
电压-额定 | 28V |
电流-测试 | - |
频率 | 768MHz |
额定电流 | - |