Datasheet下载- 型号： NE3508M04-T2-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3508M04-T2-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3508M04-T2-A价格参考。CELNE3508M04-T2-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3508M04-T2-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3508M04-T2-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL品牌的NE3508M04-T2-A是一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频信号放大和射频电路中。该器件适用于无线通信系统、射频识别（RFID）、低噪声放大器（LNA）设计等场景。 具体应用包括： 1. 无线通信设备：如基站、接入点和移动通信模块，用于射频信号的前级放大。 2. 射频识别系统（RFID）：在读写器中作为信号放大元件，提高读取灵敏度与稳定性。 3. 测试仪器：用于频谱分析仪、信号发生器等设备中的射频信号处理部分。 4. 卫星通信系统：适用于需要高线性度与低噪声性能的低频段卫星通信前端电路。 5. 工业控制与传感系统：在需高频信号处理的传感器或监控设备中使用。 该晶体管具备良好的高频特性与低噪声性能，适合在UHF至微波频段下工作，是高性能射频电路设计中的常用元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE3508M04-T2-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | F4TSMM，M04 |
| 功率-输出 | 18dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.45dB |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 120mA |
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