Datasheet下载- 型号： PTF210101M V1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTF210101M V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTF210101M V1价格参考。InfineonPTF210101M V1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTF210101M V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTF210101M V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 PTF210101M V1 属于射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频、高功率的无线通信系统中。该器件具有高效率、高功率密度和良好的热稳定性，适用于以下典型应用场景： 1. 基站通信设备：广泛应用于4G/5G蜂窝通信基站的射频功率放大器模块，提供高线性度和输出功率，确保信号传输质量与覆盖范围。 2. 广播系统：用于FM/TV广播发射机中的射频功率放大，支持高稳定性和高可靠性运行。 3. 工业与商业无线设备：如无线中继器、点对点通信系统、专网通信设备等，满足高频率和高功率需求。 4. 测试与测量设备：在射频测试仪器中作为功率放大单元，用于信号增强和系统校准。 5. 雷达与航空航天系统：在需要高可靠性和高频率响应的军事或航空雷达系统中，提供稳定的射频能量输出。 该MOSFET器件通常工作在UHF至微波频段，具备良好的封装散热设计，适用于高效、紧凑型射频功率放大器的设计与制造。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ds_ptf210101m-02.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304412b407950112b40cba300bdc |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTF210101M V1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GOLDMOS® |
| 供应商器件封装 | PG-RFP-10 |
| 其它名称 | PTF210101MV1XT |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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