ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRFE6VP61K25HSR5
Datasheet下载- 型号： MRFE6VP61K25HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP61K25HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP61K25HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP61K25HSR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230S。您可以下载MRFE6VP61K25HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP61K25HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP61K25HSR5是NXP USA Inc.生产的一款高功率LDMOS射频MOSFET晶体管，主要用于高频、高功率的射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、等离子体生成和射频消融设备。该器件支持在1.8 MHz至30 MHz频率范围内高效工作，具备出色的热稳定性和高增益特性，适合需要连续波（CW）或脉冲信号放大的场合。 此外，MRFE6VP61K25HSR5广泛应用于广播领域，如AM和HF频段的发射机，以及军用和民用雷达系统中，尤其适用于需要高可靠性和耐用性的环境。其增强型设计确保了良好的抗负载失配能力，能够在恶劣的驻波比（VSWR）条件下安全运行，减少系统故障风险。 该器件采用屏蔽封装（HSR5），有助于降低电磁干扰，提高系统整体稳定性，非常适合集成于紧凑型高功率射频模块中。由于其高效率和高输出功率（可达1250瓦以上），在要求严苛的大功率射频应用中表现出色，是现代高性能射频电源和发射系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP61K25HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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