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Datasheet下载- 型号： ATF-541M4-BLK
- 制造商： Avago Technologies
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-541M4-BLK由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-541M4-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-541M4-BLK封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet E-pHEMT 3V 60mA 2GHz 17.5dB 21.4dBm MiniPak 1412。您可以下载ATF-541M4-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-541M4-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-541M4-BLK是Broadcom Limited推出的一款高性能增强型伪形貌（PHEMT）射频场效应晶体管（FET），属于MOSFET - 射频类别。该器件专为低噪声、高增益和高线性度的射频应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括：蜂窝基站的接收前端模块，用于增强信号灵敏度；无线局域网（WLAN）设备，如802.11a/b/g/n/ac接入点，提供稳定的射频放大性能；点对点微波通信系统，在高频段实现低噪声放大；以及卫星通信和宽带无线接入系统中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。 ATF-541M4-BLK工作频率范围宽（可达4 GHz以上），具有极低的噪声系数（典型值约0.4 dB）和高增益（约17 dB），适合在高干扰环境中保持信号清晰。其增强型设计允许使用单一正电压供电，简化了偏置电路设计，提高了系统可靠性。此外，该器件采用小型化封装，适用于空间受限的高密度电路板布局。 综上，ATF-541M4-BLK适用于对低噪声、高稳定性和高线性度有严格要求的射频接收系统，是现代高性能通信设备中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-541M4-BLK- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV01-0621EN |
| P1dB | 21.4 dBm |
| 产品型号 | ATF-541M4-BLK |
| PCN设计/规格 | http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A |
| Pd-PowerDissipation | 360 mW |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | MiniPak 1412 |
| 其它名称 | 516-2194 |
| 功率-输出 | 21.4dBm |
| 功率耗散 | 360 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5 dB |
| 增益 | 17.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 0505（1412 公制） |
| 封装/箱体 | Mini PAK |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 应用说明 | http://www.avagotech.com/docs/5988-9004EN |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | EpHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 398 mmho |
| 漏极连续电流 | 120 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 60mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 120mA |
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