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  • 型号: ATF-541M4-BLK
  • 制造商: Avago Technologies
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-541M4-BLK由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-541M4-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-541M4-BLK封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 3V 60mA 2GHz 17.5dB 21.4dBm MiniPak 1412。您可以下载ATF-541M4-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-541M4-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

120 mA

Id-连续漏极电流

120 mA

品牌

Avago Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-541M4-BLK-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV01-0621EN

P1dB

21.4 dBm

产品型号

ATF-541M4-BLK

PCN设计/规格

http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A

Pd-PowerDissipation

360 mW

Pd-功率耗散

360 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

MiniPak 1412

其它名称

516-2194
ATF-541M4-BLK-ND
ATF541M4BLK
Q2380948

功率-输出

21.4dBm

功率耗散

360 mW

包装

散装

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.5 dB

增益

17.5 dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

0505(1412 公制)

封装/箱体

Mini PAK

工厂包装数量

100

应用说明

http://www.avagotech.com/docs/5988-9004EN

技术

GaAs

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

EpHEMT

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

100

正向跨导-最小值

398 mmho

漏极连续电流

120 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

3V

电压-额定

5V

电流-测试

60mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

2 GHz

额定电流

120mA

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