【未分类_BF1105WR,115】封装/厂家_BF1105WR,115中文资料_价格

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型号： BF1105WR,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF1105WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1105WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1105WR,115封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF1105WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1105WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 BF1105WR,115 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类型，并且专门针对射频（RF，Radio Frequency）应用设计。以下是该型号可能的应用场景：

 1. 射频放大器
   - BF1105WR,115 可用于设计高性能射频放大器，适用于通信系统中的信号增强。例如，在无线通信基站、卫星通信设备或无线电收发器中，它能够提供稳定的增益和低噪声性能。

 2. 低噪声放大器 (LNA)
   - 在射频前端模块中，该器件可用于构建低噪声放大器，以提高接收机的灵敏度。其低噪声特性和高线性度使其非常适合处理微弱的射频信号。

 3. 射频开关
   - 此类 MOSFET 常被用作射频开关的核心元件，实现天线切换或多频段信号选择功能。例如，在手机、物联网设备或 GPS 接收器中，它可以快速切换不同频率的信号路径。

 4. 无线通信设备
   - BF1105WR,115 能够应用于各种无线通信设备中，如对讲机、蓝牙模块、Wi-Fi 模块和 Zigbee 设备等。这些设备需要高效的射频信号处理能力来确保数据传输的稳定性和可靠性。

 5. 雷达系统
   - 在雷达系统中，该晶体管可以参与信号发射与接收过程中的放大和调制任务，支持高频信号的精确控制。

 6. 工业与医疗领域
   - 在工业自动化或医疗成像设备中，BF1105WR,115 可用于射频能量生成或信号处理部分，例如超声波设备中的射频驱动电路。

 7. 测试与测量仪器
   - 射频测试设备（如频谱分析仪、信号发生器）需要高质量的射频组件来保证测量精度，此型号的晶体管可满足这类需求。

总结来说，BF1105WR,115 是一款专为高频射频应用设计的 MOSFET，凭借其优异的电气特性，广泛适用于通信、消费电子、工业以及医疗等领域中的射频相关产品开发。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BF1105WR,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CMPAK-4
其它名称	568-6144-6
功率-输出	-
包装	Digi-Reel®
噪声系数	1.7dB
增益	20dB
封装/外壳	SC-82A，SOT-343
晶体管类型	N 通道双门
标准包装	1
电压-测试	5V
电压-额定	7V
电流-测试	-
频率	800MHz
额定电流	30mA