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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PD85035A-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85035A-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85035A-E价格参考。STMicroelectronicsPD85035A-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD85035A-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85035A-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85035A-E是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，主要应用于高频信号放大和射频功率处理场景。该器件适用于UHF（特高频）频段，常见于工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。 典型应用场景包括：射频能量应用如感应加热、等离子发生器、RF-ID（射频识别）读写设备；无线通信基础设施中的射频放大模块；以及小型化射频电源系统。其高效率、良好的热稳定性和坚固的封装设计，使其适合在要求紧凑尺寸与高可靠性的工业环境中运行。 此外，PD85035A-E也广泛用于医疗射频设备、实验室仪器及低功率射频激励系统中，支持连续波（CW）和脉冲工作模式，具备较好的输入输出匹配性能，便于集成到各类射频电路中。总体而言，该器件适用于需要稳定、高效射频功率放大的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF PWR LDMOST POWERSO10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PD85035A-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB ~ 17dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 8A |
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