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Datasheet下载- 型号： BLF184XRU
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF184XRU由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF184XRU价格参考。NXP SemiconductorsBLF184XRU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 100mA 108MHz 23.9dB 700W SOT1214A。您可以下载BLF184XRU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF184XRU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF184XRU是Ampleon USA Inc.生产的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频放大场合。该器件适用于VHF至UHF频段（通常在100 MHz至500 MHz范围内），具备高增益、高效率和优异的热稳定性，适合在连续波（CW）和脉冲模式下工作。 典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、介质加热和等离子体生成；同时也广泛用于广播领域的AM和FM发射机功率放大级，特别是在中波和调频广播基站中提供可靠的高功率输出。此外，BLF184XRU还可用于陆地移动通信系统和高功率无线基础设施设备，支持模拟和数字调制信号的放大。 该器件采用坚固的陶瓷封装，具有良好的散热性能和高可靠性，适合在严苛环境条件下长期稳定运行。其设计便于阻抗匹配，简化了射频电路开发流程，是高功率射频放大器设计中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 650W LDMOS SOT1214A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF184XRU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT1214A |
| 其它名称 | 934067848112 |
| 功率-输出 | 700W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23.9dB |
| 封装/外壳 | SOT-1214A |
| 晶体管类型 | LDMOS （双）， 共源 |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 135V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 108MHz |
| 额定电流 | - |
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