ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRF7S15100HR3
Datasheet下载- 型号： MRF7S15100HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S15100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S15100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S15100HR3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 600mA 1.51GHz 19.5dB 23W NI-780。您可以下载MRF7S15100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S15100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S15100HR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率、高性能的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，广泛应用于无线通信基础设施领域。该器件主要工作在860MHz至960MHz频段，适合用于蜂窝网络基站中的射频功率放大器。 其典型应用场景包括4G LTE和5G NR宏基站的多载波功率放大器模块，尤其适用于需要高线性度、高效率和良好热稳定性的场合。由于具备100W的高输出功率能力，MRF7S15100HR3可支持大规模MIMO（多输入多输出）系统和分布式天线系统，在城市密集区域提供稳定的信号覆盖。 此外，该器件还适用于公共安全通信、应急通信系统以及工业级无线网络设备，满足严苛环境下的长期可靠运行需求。其增强的耐用性和抗负载失配能力，使其在复杂射频环境中仍能保持稳定性能，减少系统维护成本。 综上所述，MRF7S15100HR3主要用于现代移动通信基站射频功放，是构建高性能、高可靠性无线网络的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780射频MOSFET晶体管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF7S15100HR3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF7S15100HR3 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V, 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 6.425 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 封装/箱体 | NI-780 |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 250 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 系列 | MRF7S15100H |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 频率 | 1.51GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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