Datasheet下载- 型号： MRFG35003N6AT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
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MRFG35003N6AT1 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件适用于工作频率在 UHF 到微波频段的通信系统，具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于 4G LTE、5G 等移动通信基站中的射频功率放大器模块，提供高线性度和稳定输出功率。 2. 广播发射设备：应用于数字广播（如 DVB-T、ATSC）和调频广播发射机中，作为主功率放大器以增强信号传输距离。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器、医疗射频治疗设备中的功率控制与放大。 4. 雷达与测试测量仪器：用于雷达发射系统及射频测试设备中的信号放大，支持高频率和高功率输出。 5. 卫星通信系统：在地面站和卫星通信终端中作为高效射频功率放大器件。 该器件采用先进的 LDMOS 技术，具有良好的耐用性和高可靠性，适合在高温和高功率环境下运行。其 SOT-669 封装形式便于散热和集成，广泛应用于需要高效率和高稳定性的射频功率放大场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35003N6AT1 |
| PCN封装 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15687.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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