图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NE552R679A-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE552R679A-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE552R679A-A价格参考。CELNE552R679A-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE552R679A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE552R679A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE552R679A-A、品牌为CEL（California Eastern Laboratories）的射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于无线通信系统中的射频信号放大，如蜂窝通信基站（如4G LTE、5G）、广播设备、工业与医疗射频设备等。其高频率特性使其适合用于UHF、VHF及更高频段的信号传输与处理。此外，该MOSFET具备良好的线性度和效率，适合用于需要高保真信号放大的场合。由于其封装形式和热设计优化，也适用于需要高稳定性和高功率输出的工业环境。总体而言，NE552R679A-A是一款适用于通信基础设施、射频测试设备及专业射频应用的高性能功率放大器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE552R679A-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 79A |
| 功率-输出 | 28dbm |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 460MHz |
| 额定电流 | 350mA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NE552R679A-A 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商