Datasheet下载- 型号： PD85035STR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85035STR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85035STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD85035STR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD85035STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85035STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85035STR-E是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，主要应用于高频信号放大和射频功率处理场景。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，如ISM频段（工业、科学和医疗频段）设备、短距离无线通信、无线传感器网络以及RFID系统等。 PD85035STR-E具备良好的射频性能和高效率，适合在低电压环境下稳定工作，因此常用于便携式或电池供电的射频设备中。其典型应用场景包括低功耗射频发射模块、无线遥控装置、智能家居设备中的无线连接模块以及物联网（IoT）终端设备中的射频前端电路。 此外，该器件采用紧凑型表面贴装封装（如SOT-23），有利于节省PCB空间，适合对尺寸敏感的高密度电子产品设计。得益于STMicroelectronics在模拟与射频技术方面的积累，PD85035STR-E在稳定性、可靠性和抗干扰能力方面表现良好，适用于工业控制、消费电子和部分汽车电子中的无线通信子系统。 综上所述，PD85035STR-E主要应用于低功率射频放大和无线传输场景，尤其适合小型化、低功耗和高集成度的现代电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85035STR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 其它名称 | 497-12516-6 |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 8A |
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