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产品简介:
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型号为MRFE6VP5300GNR1的射频MOSFET晶体管由NXP USA Inc.生产,主要应用于高功率射频放大领域。该器件特别适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播发射机和工业、科学及医疗(ISM)频段设备。其高功率处理能力和优良的线性性能使其成为射频功率放大器设计的理想选择,尤其适合需要高效率和高稳定性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF LDMOS 300W TO-270 GW |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6VP5300GNR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 其它名称 | MRFE6VP5300GNR1DKR |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 27dB |
| 封装/外壳 | TO-270BB |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |