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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SD56120C由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD56120C价格参考。STMicroelectronicsSD56120C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SD56120C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SD56120C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的SD56120C是一款射频MOSFET晶体管,适用于高频射频功率放大应用。该器件主要用于无线通信系统中,如蜂窝基站、无线基础设施设备和工业射频设备等场景。 SD56120C具有高增益、高效率和良好的热稳定性,适合在4G/5G基站中的功率放大器模块使用,以实现对射频信号的有效放大。此外,它也可用于射频测试设备、广播发射机和雷达系统等需要高效射频功率输出的应用场合。 由于其优良的射频性能和可靠性,SD56120C被广泛应用于现代通信基础设施中,支持多频段操作和高线性度要求的系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOST M246 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SD56120C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | M246 |
| 其它名称 | 497-12518 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | M246 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 72V |
| 电流-测试 | 400mA |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 14A |