Datasheet下载- 型号： BLF8G10LS-270V,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-270V,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-270V,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-270V,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-270V,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-270V,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的BLF8G10LS-270V,112是一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于需要高功率和高频性能的场景。典型应用包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）和数字音频广播（DAB）发射系统，提供高效率和稳定输出。 2. 工业加热设备：如射频感应加热系统，用于金属热处理或材料加工。 3. 医疗设备：如磁共振成像（MRI）系统中的射频功率放大器。 4. 通信基础设施：包括蜂窝基站和无线通信系统中的射频放大模块。 5. 测试与测量设备：用于射频信号发生器和功率放大器，确保测试精度和稳定性。 该器件具备高功率密度、优良的热稳定性和宽频率响应，适合在高性能射频系统中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 270W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G10LS-270V,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066761112 |
| 功率-输出 | 67W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 820MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |
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