Datasheet下载- 型号： NE651R479A-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE651R479A-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE651R479A-A价格参考。CELNE651R479A-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE651R479A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE651R479A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE651R479A-A的CEL品牌射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）信号处理领域。该器件适用于需要高频、低噪声放大的电路设计，常见于通信设备中的射频前端模块，如无线基站、微波通信系统和广播设备等。此外，它也可用于雷达系统、测试测量仪器以及工业控制中的射频能量传输系统。该晶体管具备良好的线性度和稳定性，适合在中高频段（如UHF、L波段等）工作，能满足对信号质量和可靠性要求较高的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE651R479A-A |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | 79A |
| 功率-输出 | 27dBm |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 3.5V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 1.9GHz |
| 额定电流 | 1A |
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