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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF242,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF242,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF242,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF242,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF242,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF242,112 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管,主要用于高功率射频应用。该器件适用于广播、工业加热、射频激励等高频、高功率场景。典型应用包括: 1. 广播发射机:用于调幅(AM)或调频(FM)广播发射系统,作为功率放大器的核心元件,提供高效率和稳定输出。 2. 工业射频加热:在感应加热、介质加热等工业设备中,BLF242,112 可用于产生高频功率,实现对材料的快速加热或处理。 3. 射频测试设备:用于射频功率放大器模块,作为测试通信设备、天线或其他射频组件时的信号源放大器。 4. 医疗射频设备:如射频消融设备中,提供可控的高频率功率输出,用于医疗治疗。 5. 无线基础设施:在某些专用通信系统或中继系统中,作为射频功率放大器件使用。 该器件具有高增益、低失真、良好的热稳定性和可靠性,适合工作在高频段(如几十 MHz 至几百 MHz)。其封装设计便于散热,适合连续高功率工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A射频MOSFET晶体管 RF DMOS 5W HF-VHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF242,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF242,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 16 W |
| Pd-功率耗散 | 16 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | CRFM4 |
| 其它名称 | 568-2396 |
| 功率-输出 | 5W |
| 功率耗散 | 16 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-123A |
| 封装/箱体 | SOT-123A |
| 工厂包装数量 | 40 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 输出功率 | 5 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 零件号别名 | BLF242 |
| 频率 | 175 MHz |
| 额定电流 | 1A |