Datasheet下载- 型号： MRFE6S9130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9130HR3是NXP USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大场合。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具备高增益、高效率和优异的热稳定性，适用于工作频率在880MHz至960MHz范围内的系统。 其典型应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、消防和警察无线系统）、基站功率放大器、工业与商业射频能量应用，以及ISM频段（工业、科学和医疗）设备。此外，MRFE6S9130HR3也常用于蜂窝通信基础设施中的Doherty放大器架构中，以提升能效和信号覆盖能力。 由于其采用坚固的陶瓷封装（Flange Mount Package），具有良好的散热性能和可靠性，适合在严苛环境条件下长期运行。因此，该器件特别适用于需要高稳定性和持续输出功率的通信系统，如4G LTE基站和未来升级的5G基础设施边缘部署场景。同时，它支持高电压操作（VDD=28V），可在大信号输入下保持线性输出，满足现代数字调制技术对低失真和高保真放大的需求。 总之，MRFE6S9130HR3是一款面向专业级无线通信系统的射频功率晶体管，适用于高要求的移动通信、公共安全网络及射频能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9130HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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