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产品简介:
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Ampleon USA Inc.的BLA1011-200,112是一款射频MOSFET晶体管,广泛应用于射频(RF)功率放大领域。该器件适用于工作频率范围较宽的场景,具备高功率密度、高效率和良好热稳定性的特点,适合用于基站通信、工业加热、广播发射机和测试设备等需要高功率射频放大的系统中。此外,BLA1011-200,112也可用于4G/5G通信基础设施、雷达系统和医疗射频设备等对性能要求较高的场合。其坚固的封装设计和优异的可靠性使其在高温和高功率工作环境下仍能保持稳定运行,是多种专业射频应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA1011-200,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934056468112 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 36V |
| 电压-额定 | 75V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | 1µA |