【未分类_BLF573S,112】封装/厂家_BLF573S,112中文资料_价格

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型号： BLF573S,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF573S,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF573S,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF573S,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF573S,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF573S,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF573S,112 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，主要用于射频（RF）应用。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - BLF573S,112 是一款高性能射频功率晶体管，适用于设计和构建射频功率放大器。它能够在高频段（如 HF、VHF 和 UHF 频段）提供高增益和高效率。
   - 典型应用包括广播发射机、业余无线电设备和工业射频功率系统。

 2. 无线通信系统
   - 在无线通信领域，BLF573S,112 可用于基站、中继站和其他射频通信设备中。其高功率处理能力和稳定性使其成为理想选择。
   - 应用场景包括移动通信、卫星通信和专用无线网络。

 3. 工业加热与等离子体生成
   - 该晶体管可用于工业加热设备，例如感应加热、微波加热和等离子体生成系统。这些应用需要高功率射频信号来激发或维持等离子体状态。

 4. 医疗设备
   - 在医疗领域，BLF573S,112 可用于射频消融设备、超声波设备和其他需要高功率射频信号的医疗仪器中。

 5. 测试与测量设备
   - 该型号的晶体管可以集成到信号发生器、频谱分析仪和其他射频测试设备中，用于生成或放大射频信号。

 6. 航空航天与国防
   - 在航空航天和国防领域，BLF573S,112 可用于雷达系统、电子对抗设备和卫星通信系统中。其可靠性和高性能满足了这些关键任务的需求。

 性能特点
- 高功率输出：能够处理高功率射频信号，适合大功率应用。
- 宽频带支持：覆盖多个射频频段，适应多种工作环境。
- 高效率与低失真：在射频功率放大中表现出色，减少能量损耗并提高信号质量。
- 坚固耐用：具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合苛刻的工作条件。

总结来说，BLF573S,112 主要应用于需要高功率、高效率射频信号处理的场合，涵盖通信、工业、医疗和国防等多个领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF LDMOS SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF573S,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-7538 568-7538-5 568-7538-5-ND 934062175112 BLF573S,112-ND BLF573S112
功率-输出	300W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	27.2dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	900mA
频率	225MHz
额定电流	42A