Datasheet下载- 型号： MRF6VP11KHR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP11KHR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP11KHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP11KHR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP11KHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP11KHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP11KHR5是NXP USA Inc.生产的一款高功率射频MOSFET晶体管，属于射频功率放大器器件，广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段的高功率射频系统中。其主要工作频率范围为1.8 MHz至250 MHz，输出功率可达数百瓦，具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 该器件典型的应用场景包括： 1. 射频能量应用：用于感应加热、介质加热、等离子体生成等工业加热设备，提供稳定高效的射频功率输出； 2. 医疗设备：在射频消融、理疗仪器等医疗系统中作为核心功率放大元件； 3. 广播与通信系统：适用于AM/FM广播发射机、短波通信设备中的末级功率放大； 4. 科研与测试设备：用于实验室射频电源、材料处理系统等需要可控射频能量的装置。 MRF6VP11KHR5采用先进的LDMOS技术，支持高电压工作（典型漏极电压为50V），具备良好的抗驻波比（VSWR）能力和可靠性，适合在严苛环境下长期运行。其封装形式为陶瓷封装（SOT-978），具有优异的散热性能和机械稳定性，便于集成于大功率射频模块中。 综上，MRF6VP11KHR5是一款面向高功率模拟射频放大需求的关键器件，适用于对输出功率、效率和可靠性要求较高的工业与专业领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230射频MOSFET晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6VP11KHR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF6VP11KHR5 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 110 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 110 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V, 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRF6VP11KHR5TR |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 13.155 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 封装/箱体 | NI-1230 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 110 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 系列 | MRF6VP11KH |
| 配置 | Dual Common Source |
| 闸/源击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 频率 | 130MHz |
| 额定电流 | 5mA |
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