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产品简介:
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2N5953_J35Z 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款射频MOSFET晶体管,常用于高频、射频功率放大场景。该器件具有良好的高频特性和可靠性,适用于需要高效率和高稳定性的射频电路。 其主要应用场景包括: 1. 射频功率放大器:广泛应用于通信设备中的射频信号放大,如基站、无线接入设备等。 2. 高频电子设备:在工作频率较高的电子系统中作为开关或放大元件使用。 3. 工业与通信系统:如广播发射机、测试仪器、数据传输系统等对射频性能要求较高的领域。 4. 军用与航空航天设备:由于其稳定性和耐环境能力,也常见于对可靠性有严苛要求的特殊领域。 该器件采用金属封装,有助于散热和屏蔽干扰,适合射频应用中的高稳定性需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC RF AMP N-CH TO-92 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5953_J35Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-输出 | - |
包装 | 散装 |
噪声系数 | 2dB |
增益 | - |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
晶体管类型 | N 通道 JFET |
标准包装 | 2,000 |
电压-测试 | 15V |
电压-额定 | 30V |
电流-测试 | - |
频率 | 1kHz |
额定电流 | 5mA |