Datasheet下载- 型号： 2SK3074TE12LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3074TE12LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3074TE12LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3074TE12LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3074TE12LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3074TE12LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3074TE12LF是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款射频MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应管，主要用于高频、小信号放大和射频功率应用。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），具有低噪声、高增益和良好的高频特性，适用于工作频率较高的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：广泛用于UHF频段的无线模块、对讲机、遥控装置和无线传感器网络中的射频前端放大电路。 2. 射频接收器：在电视调谐器、FM收音机模块和数字广播接收器中作为低噪声放大器（LNA），提升信号接收灵敏度。 3. 物联网（IoT）设备：适用于Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等短距离无线通信模块，满足小型化和低功耗设计需求。 4. 汽车电子：用于车载遥控无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等射频收发单元。 5. 工业控制与远程控制：在工业遥控器、无线门禁系统和RFID读取器中实现稳定的射频信号放大。 2SK3074TE12LF具备良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑空间内进行高密度组装，同时支持无铅环保工艺，符合RoHS标准。其优异的射频性能使其在需要高线性度和低失真的模拟射频电路中表现突出，是中小功率射频放大应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3074TE12LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SC-62 |
| 其它名称 | 2SK3074TE12LFCT |
| 功率-输出 | 630mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.9dB |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 9.6V |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 1A |
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