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- 型号： ATF-511P8-TR2
- 制造商： Avago Technologies
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-511P8-TR2由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-511P8-TR2价格参考。Avago TechnologiesATF-511P8-TR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-511P8-TR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-511P8-TR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-511P8-TR2是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型伪形貌电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET晶体管类别。该器件专为低噪声、高增益的射频放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其典型应用场景包括：无线基础设施中的低噪声放大器（LNA）、蜂窝基站接收模块、微波点对点通信系统、卫星通信设备以及宽带无线接入系统（如WLL、WiMAX等）。由于其工作频率覆盖从直流至4 GHz，特别适合用于多频段射频前端设计。 ATF-511P8-TR2具有极低的噪声系数（在2 GHz下典型值为0.4 dB）、高增益（约16 dB）和良好的线性度，能够在低电压（如2V）下稳定工作，同时功耗较低，适用于对能效和信号灵敏度要求较高的场合。此外，该器件采用小型表面贴装封装（SOT-343），便于高密度电路布局，适合紧凑型射频模块设计。 综上，ATF-511P8-TR2主要适用于需要高灵敏度、低噪声放大的中高频射频系统，广泛服务于电信、网络通信及工业无线设备领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATF-511P8-TR2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-LPCC（2x2） |
| 功率-输出 | 30dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1.4dB |
| 增益 | 14.8dB |
| 封装/外壳 | 8-LPCC |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 4.5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 1A |
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