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  • 型号: BF908R,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BF908R,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BF908R,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF908R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF908R,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道双门 8V 15mA 200MHz SOT-143R。您可以下载BF908R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF908R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 BF908R,215 是一款硅基N沟道场效应晶体管(FET),属于射频MOSFET类别,主要用于高频信号放大和开关应用。该器件特别适用于甚高频(VHF)和特高频(UHF)频段的无线通信系统。

典型应用场景包括:  
1. FM无线电接收前端:BF908R,215具有低噪声系数和高增益特性,适合用于FM广播波段(约88–108 MHz)的射频放大器,提升接收灵敏度。  
2. 电视调谐器与模拟/数字电视接收模块:在VHF/UHF频段中作为高频信号放大元件,用于增强电视信号接收性能。  
3. 无线麦克风与对讲系统:作为小信号放大器或振荡器组件,支持稳定可靠的短距离无线音频传输。  
4. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备:适用于低功率射频发射与接收电路,如遥控装置、传感器无线接口等。  
5. 消费类射频电子产品:由于其小型化SOT23封装和良好高频性能,广泛用于便携式通信设备和嵌入式无线模块中。

BF908R,215具备良好的跨导和截止频率(fT高达7GHz),可在低电压(通常3–12V)下工作,功耗低,适合电池供电设备。同时,其稳定的温度特性和可靠性使其在环境多变的应用中表现优异。

总之,BF908R,215是一款经济高效的射频小信号FET,主要面向中低功率、高频模拟电路,广泛应用于广播接收、无线通信及各类消费电子射频前端设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143射频MOSFET晶体管 Dual N-Channel 12V 40mA 200mW

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

40 mA

Id-连续漏极电流

40 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF908R,215-

数据手册

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产品型号

BF908R,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

200 mW

Pd-功率耗散

200 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

产品种类

射频MOSFET晶体管

供应商器件封装

SOT-143R

其它名称

568-6175-6

功率-输出

-

功率耗散

200 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

噪声系数

0.6dB

增益

-

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-143R

封装/箱体

SOT-143R

工厂包装数量

3000

晶体管极性

Dual N-Channel

晶体管类型

N 通道双门

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

40 mA

电压-测试

8V

电压-额定

12V

电流-测试

15mA

类型

Depletion

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

频率

1 GHz

额定电流

40mA

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