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BF908R,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF908R,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF908R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF908R,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道双门 8V 15mA 200MHz SOT-143R。您可以下载BF908R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF908R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BF908R,215 是一款硅基N沟道场效应晶体管(FET),属于射频MOSFET类别,主要用于高频信号放大和开关应用。该器件特别适用于甚高频(VHF)和特高频(UHF)频段的无线通信系统。 典型应用场景包括: 1. FM无线电接收前端:BF908R,215具有低噪声系数和高增益特性,适合用于FM广播波段(约88–108 MHz)的射频放大器,提升接收灵敏度。 2. 电视调谐器与模拟/数字电视接收模块:在VHF/UHF频段中作为高频信号放大元件,用于增强电视信号接收性能。 3. 无线麦克风与对讲系统:作为小信号放大器或振荡器组件,支持稳定可靠的短距离无线音频传输。 4. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备:适用于低功率射频发射与接收电路,如遥控装置、传感器无线接口等。 5. 消费类射频电子产品:由于其小型化SOT23封装和良好高频性能,广泛用于便携式通信设备和嵌入式无线模块中。 BF908R,215具备良好的跨导和截止频率(fT高达7GHz),可在低电压(通常3–12V)下工作,功耗低,适合电池供电设备。同时,其稳定的温度特性和可靠性使其在环境多变的应用中表现优异。 总之,BF908R,215是一款经济高效的射频小信号FET,主要面向中低功率、高频模拟电路,广泛应用于广播接收、无线通信及各类消费电子射频前端设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143射频MOSFET晶体管 Dual N-Channel 12V 40mA 200mW |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 mA |
Id-连续漏极电流 | 40 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF908R,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BF908R,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-143R |
其它名称 | 568-6175-6 |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | 0.6dB |
增益 | - |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-143R |
封装/箱体 | SOT-143R |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | Dual N-Channel |
晶体管类型 | N 通道双门 |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 40 mA |
电压-测试 | 8V |
电压-额定 | 12V |
电流-测试 | 15mA |
类型 | Depletion |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 20 V |
频率 | 1 GHz |
额定电流 | 40mA |