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Datasheet下载- 型号： PD20010TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
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PD20010TR-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD20010TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD20010TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD20010TR-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF（成形引线）。您可以下载PD20010TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD20010TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD20010TR-E是一款射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大器应用。它适用于工作频率在800MHz至2.7GHz之间的无线通信系统，如蜂窝基站、Wi-Fi 6E基础设施、小型蜂窝基站（Small Cell）和分布式天线系统（DAS）等。 该器件具备高增益、高效率和良好的线性性能，适合用于5G通信系统中的射频前端模块。其高集成度和稳定性也使其在工业级设备中广泛应用，如射频测试设备、宽带通信设备和射频传感器等。 PD20010TR-E采用紧凑的表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用，适用于需要高可靠性和高性能的射频应用环境。此外，它还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中运行。 总的来说，PD20010TR-E适用于各种高性能射频功率放大应用场景，特别是在5G通信、无线基础设施和射频测试设备中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD20010TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 其它名称 | 497-10096-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF220119?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 5A |
