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Datasheet下载- 型号： PD20010TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PD20010TR-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD20010TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD20010TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD20010TR-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF（成形引线）。您可以下载PD20010TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD20010TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD20010TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 其它名称 | 497-10096-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF220119?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 5A |
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