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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF6P27160HR5是一款射频晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景,以下是其典型应用场景: 1. 射频功率放大器: MRF6P27160HR5广泛用于设计和构建射频功率放大器,特别是在无线通信系统中。它适用于基站、中继站和其他需要高功率射频信号放大的设备。 2. 广播系统: 在广播领域,这款器件可用于AM/FM广播发射机中,提供高效的功率输出,确保信号覆盖范围广且质量稳定。 3. 航空与国防: 该型号适合于雷达系统、卫星通信以及军事通信设备。其高可靠性、高效能和宽频率范围使其成为航空航天和国防应用的理想选择。 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用: 在ISM频段内,MRF6P27160HR5可以驱动高功率射频负载,例如等离子体生成、热处理和射频加热设备。 5. 测试与测量设备: 高性能射频测试仪器需要稳定的功率输出,MRF6P27160HR5能够满足这些要求,为信号源或功率放大器提供支持。 6. 短波通信: 该器件适用于长距离短波通信系统,提供高效的功率传输能力,确保信号在恶劣环境下的稳定性。 MRF6P27160HR5凭借其卓越的射频性能、高功率处理能力和宽广的工作频率范围,在上述领域中表现出色,同时符合严格的工业标准和可靠性要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF6P27160HR5 |
PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | NI-1230 |
功率-输出 | 35W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 14.6dB |
封装/外壳 | NI-1230 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 50 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 68V |
电流-测试 | 1.8A |
频率 | 2.66GHz |
额定电流 | 10µA |